FF200r12ks4 200 a 고속 IGBT2를 갖춘 듀얼 IGBT 모듈, 열 인터페이스 재료 높음과 함께 사용 가능

FF200r12ks4 200 a 고속 IGBT2를 갖춘 듀얼 IGBT 모듈, 열 인터페이스 재료 높음과 함께 사용 가능

고주파수 스위칭을 위한 고속 IGBT2를 갖춘 Infineon 62mm 1200V, 200A 듀얼 IGBT 모듈은 귀하의 설계에 적합한 선택입니다. 감열재와 함께 사용할 수도 있습니다. 기능 요약
기본정보
모델 번호.FF200R12KS4
모델
배치 번호2010+
상표인피니언
IC(이름) / If(이름)200A
기술IGBT2
구성듀얼
전압1200V
운송 패키지판지 상자
등록 상표인피니언
기원독일
생산 능력50000 PC/년
제품 설명
파라메트릭FF200R12KS4
구성듀얼
치수(폭)61.4mm
치수(길이)106.4mm
특징빠른 짧은 꼬리 IGBT 칩
주택62mm
C(이름)/ 나F(이름)200A
최대200A
자격산업용
기술IGBT2 고속
VCE(마을)(Tvj=25°C 일반)3.2V
V에프(Tvj=25°C 일반)2V
최대 전압 등급1200V
모델:FF100R12KS4FF150R12KS4FF200R12KS4FF300R12KS4
고주파수 스위칭을 위한 고속 IGBT2를 갖춘 Infineon 62mm 1200V, 200A 듀얼 IGBT 모듈은 귀하의 설계에 적합한 선택입니다. 감열재와 함께 사용할 수도 있습니다.

기능 요약

  • 높은 단락 성능
  • 자체 제한 단락 전류
  • 낮은 스위칭 손실
  • 탁월한 견고성
  • VCEsat양의 온도 계수를 갖는
  • CTI > 400인 패키지
  • 높은 연면거리 및 공간거리
  • 절연된 베이스 플레이트
  • 구리 베이스 플레이트
  • 표준 하우징

이익

  • 유연성
  • 최적의 전기 성능
  • 최고의 신뢰성
응용
무정전 전원 공급 장치(UPS)

FF200r12ks4 200 a Dual IGBT Modules with Fast IGBT2 Available with Thermal Interface Material High-Frequency Switching

FF200r12ks4 200 a Dual IGBT Modules with Fast IGBT2 Available with Thermal Interface Material High-Frequency Switching

FF200r12ks4 200 a Dual IGBT Modules with Fast IGBT2 Available with Thermal Interface Material High-Frequency Switching

FF200r12ks4 200 a Dual IGBT Modules with Fast IGBT2 Available with Thermal Interface Material High-Frequency Switching

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